エルゴ電子 株式会社

半導体テスタ/ツェナーダイオード測定器/トランジスタテスタ/FET試験機/半導体検査装置

営業品目

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FET(Power Mos)試験機、測定器の紹介

製品サンプル

弊社では、半導体検査装置や、測定器の設計制作を得意としております。
FET用L負荷試験機を始めとして、FETやトランジスタの熱抵抗測定器など、弊社で制作したテスタを掲載しています。

製品サンプルをベースにスペックの変更が可能でして、電圧・電流の上下等、測定条件によって様々なご要望にお応え致します。

是非、一度お気軽にお問い合わせ下さい。

 

EF-5202パネル
EF-5202パネル
  EF-5202パネル後ろEF-5202パネル後ろ

 

L負荷試験装置(MOS FET)

L負荷試験装置(MOS FET)
この装置は、安全動作領域(ASO)での高電圧・高電流を試料に印加して破壊されるか否かをチェックする試験装置です。

試料(DUT)の負荷としてドレインにL(インダクタンス)を接続しておき、入力ゲート電圧を制御して
DUTをスイッチングします。DUTのスイッチングによってL負荷の両端に逆起電圧が発生しこの時の電圧と電流によってDUTの耐量試験を行います。
>>L負荷装置一覧表は、コチラをご参照ください。

 

測定仕様

  VDS電源 VG1電源 VG2電源
設定電圧範囲 0.0V~50.0V 0.0V~+30.0V 0.0V~-30.0V
設定分解能 1.0V 0.1V 0.1V
出力電流 40A以上 +100mA以上 -100mA以上
設定精度 ±(1%+0.5A)以内 ±(1%+0.1A)以内 ±(1%+0.1A)以内

 

電流制限
設定電流 0A~40A
分解能 1A
検出時間 99uSmax 1uSステップ
 
クランプ電源
出力電圧 999Vmax 1.0Vステップ
設定精度 ±(1%F・S+10V)

 

既製品概要

FET-901
大電力用L負荷試験装置 500V-100A
FET-902
小電力用L負荷試験装置 200V-30A
FET・トランジスタ兼用タイプ
FET-9205
ROMによるプログラムが可能
EF-5002
同一端子でハードL、ソフトLのテストが可能 100V-60A
マルチプレクサー動作(2CH)可能